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高效晶體硅電池技術(shù)-表面鈍化
- 早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸收，但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對
- 關(guān)鍵字： 晶體硅 絲網(wǎng)印刷 HF-PECVD
低壓驅(qū)動的RF MEMS開關(guān)模擬設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： RFMEMS開關(guān) 驅(qū)動電壓 開關(guān)時間 楊氏模量 PECVD
Alchimer 與 CEA-Leti 簽署協(xié)作合約
- 以評估高深寬比TSV 應(yīng)用的金屬化制程 濕式納米薄膜沉積工藝能夠以低持有成本提供20:1深寬比TSV 3D 整合正朝著中段鉆孔(via middle approach)的做法發(fā)展，即在前端工藝之后，但卻在堆疊之前形成TSV。一些應(yīng)用正處于研發(fā)階段，導(dǎo)致TSV技術(shù)的限制和不同規(guī)格。 Alchimer 的技術(shù)顯示出突破現(xiàn)有障礙，實現(xiàn)高深寬比TSV 的潛力。此次協(xié)作將評估其技術(shù)的潛力及其大批量生產(chǎn)的適用性。 Alchimer 的執(zhí)行長Bruno Morel 表示：「目前的技術(shù)，例如PECV
- 關(guān)鍵字： Alchimer PECVD
應(yīng)用材料推PECVD實現(xiàn)高分辨率顯示
- 應(yīng)用材料公司宣布推出全新等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)薄膜技術(shù)，用于制造適用于下一代平板電腦和電視的更高性能高分辨率顯示。這些源自應(yīng)用材料公司業(yè)界領(lǐng)先的AKT-PECVD系統(tǒng)的先進絕緣薄膜，使得基于金屬氧化物的晶體管的應(yīng)用成為可能，制造出尺寸更小、開關(guān)速度更快的像素，從而幫助客戶推出更受消費者歡迎的高分辨率顯示屏。 應(yīng)用材料公司的全新PECVD設(shè)備沉積絕緣介電薄膜，為金屬氧化物晶體管提供了一個良好的層間界面，從而最大限度地減少了氫雜質(zhì)，提高了晶體管的穩(wěn)定性，實現(xiàn)了顯示屏的優(yōu)化性能。這些高
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 PECVD
光伏電池設(shè)備趨向大尺寸和自動化
- 光伏發(fā)電將成為未來電網(wǎng)的支柱和方向。隨著我國《可再生能源法》的頒布實施，以及近兩年我國光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模的迅速擴大，生產(chǎn)設(shè)備銷量也大幅增長。2006年國產(chǎn)光伏電池設(shè)備銷售額達到6億元，比2005年增長76.6%。預(yù)計2007年國產(chǎn)光伏電池設(shè)備銷售額將超過7億元。 各類國產(chǎn)設(shè)備與國際差距不一 PECVD產(chǎn)能及工藝水平已接近世界先進水平，得到越來越多國內(nèi)用戶的使用，但設(shè)備自動化程度(自動裝卸片)與國外尚有差距。 全自動絲網(wǎng)印刷機在核心技術(shù)上無法取得突破，整體水平和國外差距較大，國內(nèi)生產(chǎn)線幾乎全部采用了價
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 光伏發(fā)電 再生能源 PECVD 電源
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